IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

codice articolo del costruttore

IPD180N10N3GBTMA1

Numero parte interna

ABC-IPD180N10N3GBTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1416982 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPD180N10N3GBTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPD180N10N3GBTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 43A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 71W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD18 , IPD180N1

Documenti per IPD180N10N3GBTMA1

Schede tecniche : IPD180N10N3GBTMA1.pdf

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