FDD4N60NZ - MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

codice articolo del costruttore

FDD4N60NZ

Numero parte interna

ABC-FDD4N60NZ

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1623111 Pieces

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Specifiche per FDD4N60NZ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDD4N60NZ

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

Serie : UniFET-II™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 114W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDD , FDD4

Documenti per FDD4N60NZ

Schede tecniche : FDD4N60NZ.pdf

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