NTJS3151PT1G - MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

codice articolo del costruttore

NTJS3151PT1G

Numero parte interna

ABC-NTJS3151PT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

5788237 Pieces

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Specifiche per NTJS3151PT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NTJS3151PT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 12V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 625mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-88/SC70-6/SOT-363

Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NTJS , NTJS31

Documenti per NTJS3151PT1G

Schede tecniche : NTJS3151PT1G.pdf

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