EGF1BHE3_A/H - DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

codice articolo del costruttore

EGF1BHE3_A/H

Numero parte interna

ABC-EGF1BHE3_A/H

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3224872 Pieces

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Specifiche per EGF1BHE3_A/H

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EGF1BHE3_A/H

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA

Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214BA

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214BA (GF1)

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EGF1 , EGF1BH

Documenti per EGF1BHE3_A/H

Schede tecniche : EGF1BHE3_A/H.pdf

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