APTGT75DA120T1G - IGBT 1200V 110A 357W SP1

codice articolo del costruttore

APTGT75DA120T1G

Numero parte interna

ABC-APTGT75DA120T1G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

IGBT 1200V 110A 357W SP1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

32997 Pieces

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Specifiche per APTGT75DA120T1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTGT75DA120T1G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : IGBT 1200V 110A 357W SP1

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo IGBT : Trench Field Stop

Configurazione : Single

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 110A

Potenza - Max : 357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A

Corrente - Limite del collettore (max) : 250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce : 5.34nF @ 25V

Ingresso : Standard

Termistore NTC : Yes

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto / caso : SP1

Pacchetto dispositivo fornitore : SP1

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTGT , APTGT75

Documenti per APTGT75DA120T1G

Schede tecniche : APTGT75DA120T1G.pdf

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