TPN1110ENH,L1Q - MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

codice articolo del costruttore

TPN1110ENH,L1Q

Numero parte interna

ABC-TPN1110ENH,L1Q

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1057931 Pieces

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Specifiche per TPN1110ENH,L1Q

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPN1110ENH,L1Q

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.2A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta), 39W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-TSON Advance (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPN1 , TPN1110

Documenti per TPN1110ENH,L1Q

Schede tecniche : TPN1110ENH,L1Q.pdf

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