SI4477DY-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

SI4477DY-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI4477DY-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

950411 Pieces

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Specifiche per SI4477DY-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI4477DY-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 26.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3W (Ta), 6.6W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI447 , SI4477D

Documenti per SI4477DY-T1-GE3

Schede tecniche : SI4477DY-T1-GE3.pdf

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