ZXMN6A11DN8TA - MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

ZXMN6A11DN8TA

Numero parte interna

ABC-ZXMN6A11DN8TA

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1212309 Pieces

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Specifiche per ZXMN6A11DN8TA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZXMN6A11DN8TA

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 40V

Potenza - Max : 1.8W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZXMN , ZXMN6A

Documenti per ZXMN6A11DN8TA

Schede tecniche : ZXMN6A11DN8TA.pdf

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