RDN080N25FU6 - MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

codice articolo del costruttore

RDN080N25FU6

Numero parte interna

ABC-RDN080N25FU6

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

32288 Pieces

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Specifiche per RDN080N25FU6

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RDN080N25FU6

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 543pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220FN

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RDN0 , RDN080

Documenti per RDN080N25FU6

Schede tecniche : RDN080N25FU6.pdf

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