IRF7322D1 - MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF7322D1

Numero parte interna

ABC-IRF7322D1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

103064 Pieces

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Specifiche per IRF7322D1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF7322D1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

Serie : FETKY™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 15V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF7

Documenti per IRF7322D1

Schede tecniche : IRF7322D1.pdf

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