SIZ328DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

codice articolo del costruttore

SIZ328DT-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIZ328DT-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1609265 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SIZ328DT-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIZ328DT-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 10V, 600pF @ 10V

Potenza - Max : 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-Power33 (3x3)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIZ32 , SIZ328D

Documenti per SIZ328DT-T1-GE3

Schede tecniche : SIZ328DT-T1-GE3.pdf

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