IRFB3207PBF - MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

codice articolo del costruttore

IRFB3207PBF

Numero parte interna

ABC-IRFB3207PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

217480 Pieces

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Specifiche per IRFB3207PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFB3207PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 75V 180A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 170A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 330W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRFB3

Documenti per IRFB3207PBF

Schede tecniche : IRFB3207PBF.pdf

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