70T3339S200BC - IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 70T3339S200BC

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 70T3339S200BC
fabbricante : IDT, Integrated Device Technology Inc
Descrizione : IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : SRAM
Tecnologia : SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria : 9Mb (512K x 18)
Frequenza di clock : 200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : 3.4ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 2.4V ~ 2.6V
temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 256-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 256-CABGA (17x17)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 70T3 , 70T333

Documenti per 70T3339S200BC

Schede tecniche : 70T3339S200BC.pdf

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