SI7998DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

codice articolo del costruttore

SI7998DP-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI7998DP-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

867769 Pieces

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Specifiche per SI7998DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7998DP-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 25A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V

Potenza - Max : 22W, 40W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI799 , SI7998D

Documenti per SI7998DP-T1-GE3

Schede tecniche : SI7998DP-T1-GE3.pdf

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