AUIRF1405ZS-7P - MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7

codice articolo del costruttore

AUIRF1405ZS-7P

Numero parte interna

ABC-AUIRF1405ZS-7P

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

301217 Pieces

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Specifiche per AUIRF1405ZS-7P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : AUIRF1405ZS-7P

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5360pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 230W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : AUIR , AUIRF14

Documenti per AUIRF1405ZS-7P

Schede tecniche : AUIRF1405ZS-7P.pdf

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