SIDC23D120H8X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

codice articolo del costruttore

SIDC23D120H8X1SA1

Numero parte interna

ABC-SIDC23D120H8X1SA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

194832 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.92~~

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Specifiche per SIDC23D120H8X1SA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIDC23D120H8X1SA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Corrente: media rettificata (Io) : 35A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.97V @ 35A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 27µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Sawn on foil

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIDC2 , SIDC23D1

Documenti per SIDC23D120H8X1SA1

Schede tecniche : SIDC23D120H8X1SA1.pdf

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