SIA778DJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

codice articolo del costruttore

SIA778DJ-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIA778DJ-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

47957 Pieces

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Specifiche per SIA778DJ-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIA778DJ-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V, 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 6V

Potenza - Max : 6.5W, 5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIA77 , SIA778D

Documenti per SIA778DJ-T1-GE3

Schede tecniche : SIA778DJ-T1-GE3.pdf

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