IPW60R190P6FKSA1 - MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

codice articolo del costruttore

IPW60R190P6FKSA1

Numero parte interna

ABC-IPW60R190P6FKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

210160 Pieces

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Specifiche per IPW60R190P6FKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPW60R190P6FKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

Serie : CoolMOS™ P6

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 630µ

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1750pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 151W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO247-3

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPW60 , IPW60R19

Documenti per IPW60R190P6FKSA1

Schede tecniche : IPW60R190P6FKSA1.pdf

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