SI4966DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

codice articolo del costruttore

SI4966DY-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SI4966DY-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51649 Pieces

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Specifiche per SI4966DY-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI4966DY-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI496 , SI4966D

Documenti per SI4966DY-T1-GE3

Schede tecniche : SI4966DY-T1-GE3.pdf

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