PMPB11EN,115 - MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN

codice articolo del costruttore

PMPB11EN,115

Numero parte interna

ABC-PMPB11EN,115

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

3524731 Pieces

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Specifiche per PMPB11EN,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PMPB11EN,115

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20.6nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DFN2020MD-6

Pacchetto / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PMPB , PMPB11

Documenti per PMPB11EN,115

Schede tecniche : PMPB11EN,115.pdf

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