IXTY1R4N120PHV - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore

IXTY1R4N120PHV

Numero parte interna

ABC-IXTY1R4N120PHV

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

290948 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.125~~

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Specifiche per IXTY1R4N120PHV

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTY1R4N120PHV

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH

Serie : Polar™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 86W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXTY , IXTY1R4

Documenti per IXTY1R4N120PHV

Schede tecniche : IXTY1R4N120PHV.pdf

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