RFN1LAM6STR - DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

codice articolo del costruttore

RFN1LAM6STR

Numero parte interna

ABC-RFN1LAM6STR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

7473165 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.0438~~

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Specifiche per RFN1LAM6STR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RFN1LAM6STR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 800mA

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.45V @ 800mA

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore : PMDTM

Temperatura operativa - Giunzione : 150°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RFN , RFN1L

Documenti per RFN1LAM6STR

Schede tecniche : RFN1LAM6STR.pdf

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