DMN2008LFU-7 - MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

codice articolo del costruttore

DMN2008LFU-7

Numero parte interna

ABC-DMN2008LFU-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2333359 Pieces

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Specifiche per DMN2008LFU-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN2008LFU-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 14.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42.3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1418pF @ 10V

Potenza - Max : 1W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2030-6 (Type B)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN2 , DMN200

Documenti per DMN2008LFU-7

Schede tecniche : DMN2008LFU-7.pdf

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