FDB024N04AL7 - MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

codice articolo del costruttore

FDB024N04AL7

Numero parte interna

ABC-FDB024N04AL7

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

273805 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per FDB024N04AL7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDB024N04AL7

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 109nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7300pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 214W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263)

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDB0 , FDB024

Documenti per FDB024N04AL7

Schede tecniche : FDB024N04AL7.pdf

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