TSM4ND65CI - 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

codice articolo del costruttore

TSM4ND65CI

Numero parte interna

ABC-TSM4ND65CI

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

574252 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.57~~

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Specifiche per TSM4ND65CI

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM4ND65CI

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 596pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 41.6W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : ITO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM , TSM4N

Documenti per TSM4ND65CI

Schede tecniche : TSM4ND65CI.pdf

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