IRFHM8363TR2PBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

codice articolo del costruttore

IRFHM8363TR2PBF

Numero parte interna

ABC-IRFHM8363TR2PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52065 Pieces

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Specifiche per IRFHM8363TR2PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFHM8363TR2PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1165pF @ 10V

Potenza - Max : 2.7W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFHM , IRFHM83

Documenti per IRFHM8363TR2PBF

Schede tecniche : IRFHM8363TR2PBF.pdf

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