2SK2866(F) - MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

codice articolo del costruttore

2SK2866(F)

Numero parte interna

ABC-2SK2866(F)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50898 Pieces

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Specifiche per 2SK2866(F)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK2866(F)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2040pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2SK , 2SK28

Documenti per 2SK2866(F)

Schede tecniche : 2SK2866(F).pdf

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