RUC002N05HZGT116 - 1.2V DRIVE NCH MOSFET

codice articolo del costruttore

RUC002N05HZGT116

Numero parte interna

ABC-RUC002N05HZGT116

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

1.2V DRIVE NCH MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

18975355 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.01725~~

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Specifiche per RUC002N05HZGT116

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RUC002N05HZGT116

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 350mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SST3

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RUC00 , RUC002N0

Documenti per RUC002N05HZGT116

Schede tecniche : RUC002N05HZGT116.pdf

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