SISS42DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

codice articolo del costruttore

SISS42DN-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SISS42DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

826049 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.39625~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

ABC Semiconductor ha SISS42DN-T1-GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SISS42DN-T1-GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SISS42DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISS42DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.8A (Ta), 40.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 4.8W (Ta), 57W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8S

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8S

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISS4 , SISS42D

Documenti per SISS42DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISS42DN-T1-GE3.pdf

Prodotti correlati per SISS42DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 1500PF 14KV SCREW.
WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 14KV SCREW.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3300PF 100V BX 0805.
WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV SCREW.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2200PF 14KV.
CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 220PF 100V BP 1805.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 160PF 9KV AXIAL.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 8400PF 18KV.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	Ceramic Capacitors 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 3000PF 10KV.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 16KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 12KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 100PF 16KV DISK.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 14KV SCREW.
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	Ceramic Capacitors 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.