FDMS039N08B - MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56

codice articolo del costruttore

FDMS039N08B

Numero parte interna

ABC-FDMS039N08B

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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564956 Pieces

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Specifiche per FDMS039N08B

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMS039N08B

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19.4A (Ta), 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 104W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDM , FDMS0

Documenti per FDMS039N08B

Schede tecniche : FDMS039N08B.pdf

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