BYC30B-600PJ - DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

codice articolo del costruttore

BYC30B-600PJ

Numero parte interna

ABC-BYC30B-600PJ

fabbricante

WeEn Semiconductors

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

49296 Pieces

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Specifiche per BYC30B-600PJ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BYC30B-600PJ

fabbricante : WeEn Semiconductors

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 30A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2.75V @ 30A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : D2PAK

Temperatura operativa - Giunzione : 175°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BYC3 , BYC30B

Documenti per BYC30B-600PJ

Schede tecniche : BYC30B-600PJ.pdf

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