RD3T100CNTL1 - NCH 200V 10A POWER MOSFET

codice articolo del costruttore

RD3T100CNTL1

Numero parte interna

ABC-RD3T100CNTL1

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

NCH 200V 10A POWER MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1050791 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per RD3T100CNTL1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RD3T100CNTL1

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : NCH 200V 10A POWER MOSFET

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 85W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RD3T , RD3T10

Documenti per RD3T100CNTL1

Schede tecniche : RD3T100CNTL1.pdf

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