PSMN013-30LL,115 - MOSFET N-CH 30V QFN3333

codice articolo del costruttore

PSMN013-30LL,115

Numero parte interna

ABC-PSMN013-30LL,115

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V QFN3333

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

43840 Pieces

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Specifiche per PSMN013-30LL,115

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PSMN013-30LL,115

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 30V QFN3333

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 768pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 41W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-DFN3333 (3.3x3.3)

Pacchetto / caso : 8-VDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PSMN0 , PSMN013-

Documenti per PSMN013-30LL,115

Schede tecniche : PSMN013-30LL,115.pdf

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