IPN70R2K1CEATMA1 - MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

codice articolo del costruttore

IPN70R2K1CEATMA1

Numero parte interna

ABC-IPN70R2K1CEATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2752351 Pieces

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Specifiche per IPN70R2K1CEATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPN70R2K1CEATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 750V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 163pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 5W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT223

Pacchetto / caso : SOT-223-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPN70 , IPN70R2K

Documenti per IPN70R2K1CEATMA1

Schede tecniche : IPN70R2K1CEATMA1.pdf

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