TK18E10K3,S1X(S - MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

codice articolo del costruttore

TK18E10K3,S1X(S

Numero parte interna

ABC-TK18E10K3,S1X(S

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

552720 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TK18E10K3,S1X(S

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK18E10K3,S1X(S

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

Serie : U-MOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK18E , TK18E10

Documenti per TK18E10K3,S1X(S

Schede tecniche : TK18E10K3,S1X(S.pdf

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