SISS02DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

codice articolo del costruttore

SISS02DN-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SISS02DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

909692 Pieces

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Specifiche per SISS02DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISS02DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Serie : TrenchFET® Gen IV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 51A (Ta), 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 83nC @ 10V

Vgs (massimo) : +16V, -12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4450pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8S

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8S

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISS0 , SISS02D

Documenti per SISS02DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISS02DN-T1-GE3.pdf

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