IXTN550N055T2 - MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

codice articolo del costruttore

IXTN550N055T2

Numero parte interna

ABC-IXTN550N055T2

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

94240 Pieces

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Specifiche per IXTN550N055T2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTN550N055T2

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Serie : GigaMOS™, TrenchT2™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 550A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 595nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 40000pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 940W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227B

Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXTN , IXTN55

Documenti per IXTN550N055T2

Schede tecniche : IXTN550N055T2.pdf

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