APT11F80B - MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

codice articolo del costruttore

APT11F80B

Numero parte interna

ABC-APT11F80B

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

138680 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per APT11F80B

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APT11F80B

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Serie : POWER MOS 8™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2471pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 337W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247 [B]

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per APT11F80B

Schede tecniche : APT11F80B.pdf

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