FDMS86200DC - MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56

codice articolo del costruttore

FDMS86200DC

Numero parte interna

ABC-FDMS86200DC

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

376019 Pieces

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Specifiche per FDMS86200DC

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMS86200DC

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56

Serie : Dual Cool™, PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.3A (Ta), 28A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2955pF @ 75V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.2W (Ta), 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Dual Cool™56

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDM , FDMS8

Documenti per FDMS86200DC

Schede tecniche : FDMS86200DC.pdf

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