TPC8021-H(TE12LQ,M - MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

codice articolo del costruttore

TPC8021-H(TE12LQ,M

Numero parte interna

ABC-TPC8021-H(TE12LQ,M

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

43809 Pieces

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Specifiche per TPC8021-H(TE12LQ,M

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPC8021-H(TE12LQ,M

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 640pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP (5.5x6.0)

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPC802 , TPC8021-H

Documenti per TPC8021-H(TE12LQ,M

Schede tecniche : TPC8021-H(TE12LQ,M.pdf

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