RS1E350BNTB - MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

codice articolo del costruttore

RS1E350BNTB

Numero parte interna

ABC-RS1E350BNTB

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

960372 Pieces

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Specifiche per RS1E350BNTB

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RS1E350BNTB

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 35W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HSOP

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RS1 , RS1E3

Documenti per RS1E350BNTB

Schede tecniche : RS1E350BNTB.pdf

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