IXFP12N65X2 - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore

IXFP12N65X2

Numero parte interna

ABC-IXFP12N65X2

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

290948 Pieces

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Specifiche per IXFP12N65X2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFP12N65X2

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18.5nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1134pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 180W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXF , IXFP1

Documenti per IXFP12N65X2

Schede tecniche : IXFP12N65X2.pdf

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