ZXMN3G32DN8TA - MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

codice articolo del costruttore

ZXMN3G32DN8TA

Numero parte interna

ABC-ZXMN3G32DN8TA

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1352575 Pieces

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Specifiche per ZXMN3G32DN8TA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ZXMN3G32DN8TA

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 472pF @ 15V

Potenza - Max : 1.8W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ZXMN , ZXMN3G

Documenti per ZXMN3G32DN8TA

Schede tecniche : ZXMN3G32DN8TA.pdf

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