HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

codice articolo del costruttore

HGT1S10N120BNST

Numero parte interna

ABC-HGT1S10N120BNST

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

363083 Pieces

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Specifiche per HGT1S10N120BNST

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : HGT1S10N120BNST

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo IGBT : NPT

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) : 35A

Corrente - Collector Pulsed (Icm) : 80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A

Potenza - Max : 298W

Cambiare energia : 320µJ (on), 800µJ (off)

Tipo di input : Standard

Carica del cancello : 100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C : 23ns/165ns

Condizione di test : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr) : -

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : HGT1S , HGT1S10

Documenti per HGT1S10N120BNST

Schede tecniche : HGT1S10N120BNST.pdf

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