RQ6E085BNTCR - NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

codice articolo del costruttore

RQ6E085BNTCR

Numero parte interna

ABC-RQ6E085BNTCR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1962961 Pieces

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Specifiche per RQ6E085BNTCR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RQ6E085BNTCR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32.7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-457

Pacchetto / caso : SC-74, SOT-457

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RQ6E , RQ6E08

Documenti per RQ6E085BNTCR

Schede tecniche : RQ6E085BNTCR.pdf

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