MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E - IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

codice articolo del costruttore

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Numero parte interna

ABC-MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

84483 Pieces

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Specifiche per MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria : 32Gb (512M x 64)

Frequenza di clock : 2133MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : -

Tensione - Fornitura : 1.1V

temperatura di esercizio : -30°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio : -

Pacchetto / caso : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MT53D512M , MT53D512M64D4

Documenti per MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E

Schede tecniche : MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E.pdf

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