FQD10N20LTM - MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

codice articolo del costruttore

FQD10N20LTM

Numero parte interna

ABC-FQD10N20LTM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1582644 Pieces

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Specifiche per FQD10N20LTM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQD10N20LTM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 51W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQD , FQD10

Documenti per FQD10N20LTM

Schede tecniche : FQD10N20LTM.pdf

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