PHW80NQ10T,127 - MOSFET N-CH 100V 80A SOT429

codice articolo del costruttore

PHW80NQ10T,127

Numero parte interna

ABC-PHW80NQ10T,127

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 80A SOT429

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

45201 Pieces

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Specifiche per PHW80NQ10T,127

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHW80NQ10T,127

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 80A SOT429

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 109nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4720pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 263W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-3

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per PHW80NQ10T,127

Schede tecniche : PHW80NQ10T,127.pdf

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