SI9926BDY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
ABC-SI9926BDY-T1-GE3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
51870 Pieces
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Specifiche per SI9926BDY-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI9926BDY-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 1.14W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI9926BDY-T1-GE3
Schede tecniche : SI9926BDY-T1-GE3.pdf
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