SIS990DN-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

codice articolo del costruttore

SIS990DN-T1-GE3

Numero parte interna

ABC-SIS990DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1500660 Pieces

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Specifiche per SIS990DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SIS990DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 50V

Potenza - Max : 25W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8 Dual

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SIS99 , SIS990D

Documenti per SIS990DN-T1-GE3

Schede tecniche : SIS990DN-T1-GE3.pdf

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